ФТП, 2004, том 38, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Зависимость структурных и оптических свойств ансамблей квантовых точек в системе InAs / GaAs
от температуры поверхности и скорости роста

В.Г.Дубровский *, Ю.Г.Мусихин *, Г.Э.Цырлин, В.А.Егоров, Н.К.Поляков,
Ю.Б.Самсоненко, А.А.Тонких, Н.В.Крыжановская *, Н.А.Берт *, В.М.Устинов *

Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
190083 Санкт-Петербург, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 7 июля 2003 г. Принята к печати 9 июля 2003 г.)

Проведены теоретические и экспериментальные исследования зависимости свойств ансамблей квантовых точек InAs на поверхности GaAs(100) от температуры поверхности и скорости роста InAs. Развита кинетическая теория формирования квантовых точек в процессе гетероэпитаксиального роста, позволяющая рассчитать зависимости среднего размера и поверхностной плотности островков от времени и условий роста. Экспериментально исследованы структурные и оптические свойства квантовых точек с эффективной толщиной 2 монослоя, выращенных при различных температурах поверхности и скоростях роста. Проведено сравнение предсказаний теоретической модели с экспериментальными результатами и показано их хорошее соответствие. Полученные результаты показывают значительное увеличение латерального размера и уменьшение поверхностной плотности квантовых точек при повышении температуры и понижении скорости роста соответственно.

 PDF версия (957Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster