ФТП, 2004, том 38, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Роль объемного заряда в формировании сопротивления биполярного полупроводникового образца

А.Конин

Институт физики полупроводников,
2600 Вильнюс, Литва

(Получена 4 июля 2003 г. Принята к печати 2 июля 2003 г.)

В линейном приближении по концентрациям неравновесных носителей заряда получено выражение, описывающее не зависящее от протекающего тока сопротивление биполярного полупроводника (закон Ома). Показано, что отклонение сопротивления от классического обусловлено возникающем в полупроводнике объемным зарядом. В зависимости от соотношения приповерхностных проводимостей электронов и дырок сопротивление образца может стать как больше, так и меньше классического. Этот эффект максимален в образцах с малой поверхностной рекомбинацией, длина которых значительно меньше диффузионной длины.

 PDF версия (90Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster