ФТП, 2004, том 38, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Трансформация спектров фотолюминесценции слоев GaAs, сильно легированных бериллием, после гидростатического сдавливания

Т.С.Шамирзаев , К.С.Журавлев, J.Bak-Misiuk *, A.Misiuk +, J.Z.Domagala *, J.Adamczewska *

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
* Institute of Physics, Polish Academy of Sciences,
02-668 Warsaw, Poland
+ Institute of Electron Technology,
02-668 Warsaw, Poland

(Получена 21 мая 2003 г. Принята к печати 18 июня 2003 г.)

Изучалось влияние отжига при высоких температурах и высоких гидростатических давлениях на фотолюминесценцию сильно легированных слоев GaAs : Be, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs. В спектрах слоев с концентрацией атомов бериллия более 5· 1019 cм-3 после обработки обнаружено \glqq синее\grqq смещение полосы краевой люминесценции и возрастание относительной интенсивности плеча, лежащего на высокоэнергетическом крыле полосы краевой фотолюминесценции. В этих же слоях наблюдалось концентрационное уменьшение параметра кристаллической решетки GaAs, отличное от закона Вегарда. Наблюдаемые эффекты объяснены образованием включений бериллия при высоких уровнях легирования GaAs. Из-за разности коэффициентов сжимаемости и термического расширения GaAs, с одной стороны, и включений бериллия, с другой стороны, обработка при высоких температурах и высоких давлениях приводит к образованию структурных дефектов и, как следствие, к возрастанию вероятности непрямых в k-пространстве излучательных переходов.

 PDF версия (124Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster