ФТП, 2004, том 38, выпуск 3ФТП, 2004, том 38, выпуск 3| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск |
|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Винценц С.В., Зайцева А.В., Зайцев В.Б., Плотников Г.С. Генезис наноразмерных дефектов и разрушений в GaAs при многократном квазистатическом фотодеформировании микронных областей полупроводника | 257 |
|---|---|
| Ардышев М.В., Ардышев В.М., Крючков Ю.Ю. Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs при радиационном отжиге | 265 |
| Александров О.В. Моделирование концентрационной зависимости диффузии бора в кремнии | 270 |
| Хлудков С.С., Корецкая О.Б., Тяжев А.В. Диффузия хрома в арсениде галлия | 274 |
| Семенов А.Н., Сорокин В.С., Соловьев В.А., Мельцер Б.Я., Иванов С.В. Особенности встраивания молекул Sb и Sb при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов AlGaAsSb | 278 |
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Ермолаев О.П., Микульчик Т.Ю. Определение концентрации галлия в германии, трансмутационно легированном нейтронами, из измерений сопротивления в области прыжковой проводимости | 285 |
| Шамирзаев Т.С., Журавлев К.С., Bak-Misiuk J., Misiuk A., Domagala J.Z., Adamczewska J. Трансформация спектров фотолюминесценции слоев GaAs, сильно легированных бериллием, после гидростатического сдавливания | 289 |
| Акимов Б.А., Прядун В.В., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Импеданс твердых растворов на основе теллурида свинца, легированного галлием | 293 |
| Конин А. Роль объемного заряда в формировании сопротивления биполярного полупроводникового образца | 296 |
| Шалдин Ю.В., Вархульска И., Рабаданов М.Х., Комарь В.К. Магнитные исследования широкозонных полупроводников CdZnTe () | 300 |
| Колосов С.А., Клевков Ю.В., Плотников А.Ф. Транспортные явления в крупнозернистых поликристаллах CdTe | 305 |
| Одринский А.П. Критический анализ исследования глубоких уровней в высокоомных монокристаллах CdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии | 310 |
| Возный А.В., Дейбук В.Г. Роль сплавных эффектов в формировании электронной структуры неупорядоченных твердых растворов III-нитридов | 316 |
| Брызгалов А.Н., Мусатов В.В., Бузько В.В. Оптические свойства поликристаллического селенида цинка | 322 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Аврутин В.С., Агафонов Ю.А., Вяткин А.Ф., Зиненко В.И., Изюмская Н.Ф., Иржак Д.В., Рощупкин Д.В., Штейнман Э.А., Вдовин В.И., Югова Т.Г. Низкотемпературная релаксация упругих напряжений в SiGe / Si-гетероструктурах, облученных ионами Ge | 325 |
| Бондаренко В.Б., Кораблев В.В., Равич Ю.И. Естественно неупорядоченный потенциал на поверхности сильно легированного полупроводника | 331 |
| Низкоразмерные системы | |
| Афоненко А.А. Уширение спектральных линий в квантовых ямах при кулоновском взаимодействии носителей заряда | 335 |
| Дубровский В.Г., Мусихин Ю.Г., Цырлин Г.Э., Егоров В.А., Поляков Н.К., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Крыжановская Н.В., Берт Н.А., Устинов В.М. Зависимость структурных и оптических свойств ансамблей квантовых точек в системе InAs / GaAs от температуры поверхности и скорости роста | 342 |
| Арутюнян В.А., Арамян К.С., Петросян Г.Ш. Размерный эффект Штарка и электропоглощение в полупроводниковом сферическом слое | 349 |
| Сошников И.П., Крыжановская Н.В., Леденцов Н.Н., Егоров А.Ю., Мамутин В.В., Одноблюдов В.А., Устинов В.М., Горбенко О.М., Kirmse H., Neumann W., Bimberg D. Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs в квантовой яме InGaAsN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии | 354 |
| Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники | |
| Persheyev S.K., Drapacz P.R., Rose M.J., Fitzgerald A.G. Diffusion of Chromium in Thin Hydrogenated Amorphous Silicon Films | 358 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Емельянов А.М., Соболев Н.А. Температурная зависимость электролюминесценции ионов Er в туннельных диодах на основе (111)-Si : (Er, O) | 361 |
| Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Алешкин В.Я. Сине-зеленое излучение в полупроводниковых лазерах с квантовыми ямами на основе GaAs | 366 |
| Андреев В.М., Хвостиков В.П., Калюжный Н.А., Титков С.С., Хвостикова О.А., Шварц М.З. Фотоэлементы на основе гетероструктур GaAs/Ge, полученные комбинацией методов МОСГФЭ и диффузии цинка | 369 |
| Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Тарасов И.С. Внутренние оптические потери в полупроводниковых лазерах | 374 |