ФТП, 2004, том 38, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фоточувствительность структур с квантовыми ямами,
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии,
при нормальном падении излучения

В.Б.Куликов , Г.Х.Аветисян, Л.М.Василевская, И.Д.Залевский *, И.В.Будкин *, А.А.Падалица *

ГУП НПП \glqq Пульсар\grqq,
105187 Москва, Россия
* ООО \glqq Сигм Плюс\grqq,
109377 Москва, Россия

(Получена 15 апреля 2003 г. Принята к печати 22 мая 2003 г.)

В последнее время для выращивания приборных структур с квантовыми ямами наряду с молекулярно-лучевой эпитаксией все больше используют газофазную эпитаксию из металлорганических соединений (МОС-гидридную эпитаксию). Наш опыт работы с фотоприемниками на основе структур с квантовыми ямами, выращенных методом МOС-гидридной эпитаксии, показывает, что они обладают рядом отличий от аналогов, полученных с использованием молекулярно-лучевой эпитаксии. К таким отличиям следует отнести более существенную асимметрию вольт-амперной характеристики, наличие значительной фоточувствительности при нормальном падении излучения без специальных устройств ввода. Указанные отличия связаны, на наш взгляд, с особенностями процесса эпитаксии. В настоящей работе представлены результаты экспериментального исследования таких фотоприемников на основе структур с квантовыми ямами, обсуждается их связь со структурными особенностями, обусловленными процессом МОС-гидридной эпитаксии.

 PDF версия (269Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster