ФТП, 2004, том 38, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние содержания In и Al на характеристики собственных дефектов в квантовых точках на основе арсенида галлия

Т.В.Безъязычная, В.М.Зеленковский, Г.И.Рябцев *, М.М.Соболев+

Институт физико-органической химии Национальной академии наук Белоруссии,
220072 Минск, Белоруссия
* Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Белоруссии,
220072 Минск, Белоруссия
+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 19 мая 2003 г. Принята к печати 20 мая 2003 г.)

Квантово-химическим неэмпирическим методом ССП МО ЛКАО исследовано влияние индия и алюминия на свойства дефектного комплекса AsGa (мышьяк, замещающий галлий в узле кристаллической решетки) в квантовых точках на основе арсенида галлия. Показано, что дефект AsGa может существовать в стабильном и метастабильном состояниях. Увеличение содержания индия или алюминия повышает вероятность формирования дефекта AsGa в стабильном состоянии, причем данный эффект сильнее проявляется при введении в квантовые точки атомов индия. Энергия активации перехода между стабильным и метастабильным состояниями варьируется от 0.886 до 2.049 эВ в зависимости от стехиометрического состава квантовых точек. Возникновение дефекта AsGa приводит к появлению в запрещенной зоне двух глубоких уровней.

 PDF версия (239Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster