ФТП, 2004, том 38, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Структуры на основе полупроводниковых соединений Cu(Ag)InnSm

И.В.Боднарь, В.А.Полубок, В.Ю.Рудь*, Ю.В.Рудь+, М.С.Сергинов+

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,
220072 Минск, Белоруссия
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 15 апреля 2003 г. Принята к печати 22 апреля 2003 г.)

Методом направленной кристаллизации расплава выращены кристаллы тройных соединений CuIn7S11, CuIn11S17 и AgIn11S17. На основании измерения кинетических коэффициентов определены тип проводимости, удельное сопротивление, концентрация электронов и холловская подвижность носителей заряда, что позволяет отнести полученные вещества к полупроводниковым материалам. Установлена возможность и созданы первые фоточувствительные структуры на основе выращенных соединений. Определены фотоэлектрические параметры полученных твердотельных поверхностно-барьерных структур и фотоэлектрохимических ячеек, обсуждается характер межзонных переходов и оценена ширина запрещенной зоны новых полупроводников. Показано, что разработанные структуры могут применяться в фотодетекторах естественного излучения.

 PDF версия (170Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster