ФТП, 2004, том 38, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Динамика развития поверхностных структур в кристаллах p-CdTe при облучении импульсным лазерным излучением

А.Байдуллаева, М.Б.Булах, А.И.Власенко, А.В.Ломовцев, П.Е.Мозоль

Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 1 апреля 2003 г. Принята к печати 29 апреля 2003 г.)

Исследована динамика модификации поверхности кристаллов p-CdTe ориентации (111) под действием импульсного излучения рубинового лазера (homega=1.78 эВ) наносекундной длительности из области фундаментального поглощения света. Показано, что в зависимости от дозы облучения морфология поверхности меняется в такой последовательности: появление пленки теллура, рост плотности дислокаций под пленкой теллура, образование упорядоченных квазипериодических структур как микронных, так и нанометровых размеров. Характер распределения и размеры структур зависят от дозы лазерного облучения.

 PDF версия (1.1Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster