ФТП, 2004, том 38, выпуск 1ФТП, 2004, том 38, выпуск 1| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск |
|---|
| Обзоры | |
| Асрян Л.В., Сурис Р.А. Теория пороговых характеристик полупроводниковых лазеров на квантовых точках | 3 |
|---|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Байдуллаева А., Булах М.Б., Власенко А.И., Ломовцев А.В., Мозоль П.Е. Динамика развития поверхностных структур в кристаллах -CdTe при облучении импульсным лазерным излучением | 26 |
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Морозов А.В., Кожанов А.Е., Артамкин А.И., Слынько Е.И., Слынько В.Е., Dobrowolski W.D., Story T., Хохлов Д.Р. Стабилизация уровня Ферми и отрицательное магнитосопротивление в PbTe(Mn,Cr) | 30 |
| Аливов Я.И., Чукичев М.В., Никитенко В.А. Зеленая полоса люминесценции пленок оксида цинка, легированных медью в процессе термической диффузии | 34 |
| Морозова Н.К., Каретников И.А., Плотниченко В.Г., Гаврищук Е.М., Яшина Э.В., Иконников В.Б. Преобразование центров люминесценции CVD-ZnS при газостатировании | 39 |
| Литвинова М.Б. Влияние примесей на излучательную рекомбинацию через центры в монокристаллах арсенида галлия | 44 |
| Ризаханов М.А., Зобов Е.М., Хамидов М.М. Структурно сложные двухдырочные и двухэлектронные медленные ловушки с бикинетическими свойствами в кристаллах -ZnTe, -ZnS | 49 |
| Мнацаканов Т.Т., Левинштейн М.Е., Поморцева Л.И., Юрков С.Н. Универсальный метод аналитической аппроксимации подвижности основных носителей заряда в полупроводниках в широком диапазоне температур и уровней легирования | 56 |
| Кулькова С.Е., Чудинов Д.В., Ханин Д.В. Влияние водорода на электронную структуру и свойства нитрида бора | 61 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Андриевский В.Ф., Гущинская Е.В., Малышев С.А. Диффузия цинка в незащищенную поверхность InP | 68 |
| Щеулин А.С., Купчиков А.К., Ангервакс А.Е., Рыскин А.И. Компенсация доноров в обедненном слое кристаллов CdF с барьером Шоттки | 72 |
| Казлаускене В., Кажукаускас В., Мишкинис Ю., Петравичюс А., Пурас Р., Сакалаускас С., Синюс Ю., Вайткус Ю.-В., Жиндулис А. Формирование омических контактов к полуизолирующему GaAs путем лазерного осаждения In | 79 |
| Белогорохов А.И., Денисов И.А., Смирнова Н.А., Белогорохова Л.И. Исследование структурного совершенства эпитаксиальных слоев CdHgTe / CdZnTe методом комбинационного рассеяния света | 84 |
| Низкоразмерные системы | |
| Цуканов А.В., Опенов Л.А. Резонансные переходы электрона между полупроводниковыми квантовыми точками под действием лазерного излучения | 94 |
| Саченко А.В., Крюченко Ю.В. О статистике и кинетике рекомбинации в полупроводниковых наноструктурах | 102 |
| Тысченко И.Е., Попов В.П., Талочкин А.Б., Гутаковский А.К., Журавлев К.С. Формирование пленок нанокристаллического кремния имплантацией больших доз ионов H в слои кремния на изоляторе и последующим быстрым термическим отжигом | 111 |
| Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники | |
| Венгер Е.Ф., Кириллова С.И., Кизяк И.М., Манойлов Э.Г., Примаченко В.Е. Влияние примеси золота на фотолюминесценцию и фотоэдс пористого кремния | 117 |
| Сресели О.М., Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Вуль С.П., Захарова И.Б., Алексеева Е.А. Влияние фуллерена на фотолюминесценцию пористого кремния | 124 |
| Персоналии | |
| Эммануил Ильич Адирович ( к 30-летию со дня смерти ) | 128 |