ФТП, 2003, том 37, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

GaInAsP/GaInP/AlGaInP-лазеры, излучающие на 780 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии

Д.А.Винокуров, С.А.Зорина, В.А.Капитонов, А.Ю.Лешко, А.В.Лютецкий, Д.Н.Николаев,
Н.А.Пихтин, А.Л.Станкевич, Н.В.Фетисова, В.В.Шамахов, И.С.Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 19 мая 2003 г. Принята к печати 20 мая 2003 г.)

Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений и гидридов (МОС-гидридной эпитаксии) были получены лазерные гетероструктуры в системе твердых растворов GaInAsP/GaInP/AlGaInP. Конструкция лазерной структуры была выбрана на основании расчета разрывов зон на гетерогранице в активной области волновода. На мезаполосковых лазерных диодах с шириной полоска W=5 мкм была получена в непрерывном режиме генерации оптическая мощность излучения 320 мВт с длиной волны излучения 780 нм.

 PDF версия (177Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster