ФТП, 2003, том 37, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Свойства светодиодов на основе GaSb, полученных путем химической огранки подложечной части светодиодных кристаллов

Е.А.Гребенщикова, А.Н.Именков, Б.Е.Журтанов, Т.Н.Данилова,
А.В.Черняев, Н.В.Власенко, Ю.П.Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 2 апреля 2003 г. Принята к печати 3 апреля 2003 г.)

Сообщаются результаты исследования светодиодов, работающих в средней инфракрасной области спектра (lambda=1.7-1.9 мкм). Подложечная часть светодиодных кристалликов на основе GaSb после химической огранки приобрела конусно-пирамидальную форму, и число граней кристаллика увеличилось с 6 до 10. Исследование спектров излучения и диаграмм направленности показало, что химическая огранка кристаллика увеличивает внешний квантовый выход излучения и делает диаграмму направленности почти полусферической.

 PDF версия (298Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster