ФТП, 2003, том 37, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Лазерная генерация на длине волны 1.5 мкм в структурах с квантовыми точками на подложках GaAs

А.Е.Жуков, А.П.Васильев, А.Р.Ковш, С.С.Михрин, Е.С.Семенова, А.Ю.Егоров, В.А.Одноблюдов,
Н.А.Малеев, Е.В.Никитина, Н.В.Крыжановская, А.Г.Гладышев, Ю.М.Шерняков, М.В.Максимов,
Н.Н.Леденцов, В.М.Устинов, Ж.И.Алферов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 2 июня 2003 г. Принята к печати 3 июня 2003 г.)

Сообщается о реализации лазерной генерации на длине волны 1488--1515 нм в диапазоне температур 20-83oC в структурах с активной областью на основе многослойных массивов самоорганизующихся квантовых точек, выращенных на подложках GaAs. В лазере с четырьмя сколотыми гранями пороговая плотность тока составила 800 А/см2 при комнатной температуре. Метод увеличения длины волны основан на использовании метаморфного переходного слоя с содержанием индия около 20%, предназначенного для релаксации напряжения рассогласования.

 PDF версия (263Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster