ФТП, 2003, том 37, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотолюминесценция при комнатной температуре
в диапазоне 1.5-1.6 мкм от наногетероструктур InGaAs / GaAs,
выращенных при низкой температуре подложки

А.А.Тонких +* , Г.Э.Цырлин +*, В.Г.Талалаев $*, Б.В.Новиков $, В.А.Егоров +*,
Н.К.Поляков +*, Ю.Б.Самсоненко +*, В.М.Устинов +, N.D.Zakharov $$, P.Werner $$

+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
190103 Санкт-Петербург, Россия
$ Институт физики, Санкт-Петербургский государственный университет,
198504 Санкт-Петербург, Россия
$$ Max Planck Institute of Microstructure Physics,
Halle Weinberg 2, D-06120 Halle, Germany

(Получена 23 мая 2003 г. Принята к печати 2 июня 2003 г.)

Методами дифракции быстрых электронов на отражение, просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции исследовались гетероструктуры с квантовыми точками и квантовыми ямами In(Ga)As / GaAs, выращенные при низкой температуре подложки. Показано, что осажденный при низкой температуре на поверхность GaAs (100) арсенид индия формирует двумерные кластеры, состоящие из отдельных квантовых точек. В оптических спектрах структур, содержащих подобные кластеры, возникает излучение в диапазоне длин волн 1.5-1.6 мкм.

 PDF версия (839Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster