| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Температурные характеристики низкопороговых высокоэффективных лазеров на квантовых точках, излучающих в диапазоне длин волн мкм
И.И.Новиков, М.В.Максимов, Ю.М.Шерняков, Н.Ю.Гордеев, А.Р.Ковш,
А.Е.Жуков, С.С.Михрин, Н.А.Малеев, А.П.Васильев, В.М.Устинов,
Ж.И.Алферов, Н.Н.Леденцов, Д.Бимберг
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin,
D-10623 Berlin, Germany
(Получена 27 марта 2003 г. Принята к печати 1 апреля 2003 г.)
| Исследованы температурные зависимости рабочих характеристик низкопороговых (пороговая плотность тока менее 100 А/см), высокоэффективных (дифференциальная квантовая эффективность до 88%) инжекционных лазерных гетероструктур. Структуры содержали 2, 5 и 10 слоев квантовых точек InAs--GaAs в качестве активной области и излучали в диапазоне длин волн мкм. Показано, что изменение распределения носителей в активной области с неравновесного на равновесный приводит к -образному характеру температурной зависимости пороговой плотности тока и внешней дифференциальной квантовой эффективности. |
| PDF версия (267Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2003, Коллектив авторов Разработано... webmaster |