ФТП, 2003, том 37, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Конструкция и технология изготовления вертикально излучающих лазеров с непроводящими эпитаксиальными зеркалами

Н.А.Малеев, А.Р.Ковш, А.Е.Жуков, А.П.Васильев, С.С.Михрин, А.Г.Кузьменков, Д.А.Бедарев,
Ю.М.Задиранов, М.М.Кулагина, Ю.М.Шерняков, А.С.Шуленков *, В.А.Быковский *,
Ю.М.Соловьев +, C.Moller =/=, Н.Н.Леденцов, В.М.Устинов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов,
220024 Минск, Белоруссия
+ АОЗТ \glqq Светлана--Электронприбор\grqq,
194021 Санкт-Петербург, Россия
=/= Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin,
10587 Berlin, Deutschland

(Получена 11 марта 2003 г. Принята к печати 18 марта 2003 г.)

Рассматриваются конструктивно-технологические проблемы при создании структур полупроводниковых вертикально излучающих лазеров с непроводящими распределенными брэгговскими отражателями, полученныx методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Вертикально излучающие лазеры с активной областью сформированы на основе квантовых ям InGaAs, с нижним полупроводниковым и верхним оксидированным брэгговскими отражателями при диаметре оксидированной апертуры 7--12 мкм. Приборы демонстрируют лазерную генерацию в непрерывном режиме при комнатной температуре с пороговыми токами 0.5--1.5 мА, дифференциальной эффективностью до 0.5 мВт/мА и максимальной выходной мощностью до 3 мВт.

 PDF версия (596Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster