ФТП, 2003, том 37, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние облучения быстрыми нейтронами
на электрические характеристики приборов
на основе CVD эпитаксиальных слоев 4H-SiC

Е.В.Калинина , Г.Ф.Холуянов, Д.В.Давыдов, А.М.Стрельчук, A.Hallen *,
А.О.Константинов +, В.В.Лучинин =/=, А.Ю.Никифоров

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Royal Institute of Technology Department of Electronic, Electrum 229,
SE 164 40 Kista, Sweden
+ Acreo AB, Electrum 236,
SE 164 40 Kista, Sweden
=/= Санкт-Петербургский электротехнический университет,
Центр микротехнологии и диагностики,
197376 Санкт-Петербург, Россия
Специализированные электронные системы,
115409 Москва, Россия

(Получена 11 февралая 2003 г. Принята к печати 17 февраля 2003 г.)

Исследовалось влияние облучения быстрыми нейтронами (1 МэВ) на электрические свойства Al-барьеров Шоттки и ионно-легированных алюминием p+\kern-1pt-n-n+\kern-1pt-диодов, сформированных на основе высокоомных чистых эпитаксиальных слоев 4H-SiC n-типа проводимости, выращенных методом газотранспортной эпитаксаии. Использование таких структур позволило проводить исследования радиационных дефектов в эпитаксиальном слое при температурах до 700 K. После облучения образцов нейтронами с флюенсом 6· 1014 см-2 наблюдалось исчезновение выпрямляющих свойств диодных структур из-за высокого (до 50 ГОм) сопротивления радиационно-нарушенного слоя. Однако при температуре 650 K диодные характеристики облученных p+\kern-1pt-n-n+\kern-1pt-структур частично восстанавливались.

 PDF версия (277Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster