ФТП, 2003, том 37, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Нанотранзисторы кремний-на-изоляторе: перспективы
и проблемы реализации

О.В.Наумова , И.В.Антонова, В.П.Попов, Ю.В.Настаушев, Т.А.Гаврилова, Л.В.Литвин, А.Л.Aсеeв

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 8 января 2003 г. Принята к печати 13 января 2003 г.)

Рассмотрены основные проблемы, возникающие при изготовлении наноразмерных транзисторов. Апробированы альтернативные классическому МОП-транзистору конструкции полевых транзисторов на структурах кремний-на-изоляторе с различной конфигурацией затвора. Показано, что наиболее перспективными являются конструкции многоканальных транзисторов на однородно легированных слоях кремния-на-изоляторе с трехмерным затвором, которые позволяют решить как проблему смыкания областей обеднения стока--истока (в классических МОП-транзисторах), так и проблему малой плотности тока в конструкциях с одним каналом.

 PDF версия (951Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster