ФТП, 2003, том 37, выпуск 10: page 1248...

ФТП, 2003, том 37, выпуск 10

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Электронный транспорт в униполярных гетероструктурных транзисторах с квантовыми точками в сильных электрических полях

В.Г.Мокеров, Ю.К.Пожела^*, Ю.В.Федоров

Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук,
117105 Москва, Россия
^* Институт физики полупроводников,
26000 Вильнюс, Литва

(Получена 25 ноября 2002 г. Принята к печати 23 декабря 2002 г.)

Представлена модель для объяснения особенностей электронного транспорта в сильных электрических полях в униполярном гетероструктурном транзисторе с квантовыми точками (AlGaAs/GaAs/InAs/GaAs/InAs). Показано, что двухступенчатая форма выходной вольт-амперной характеристики

I

_D(V_D) и аномальная зависимость тока стока

I

_D от напряжения на затворе

V

_G обусловлены ионизацией квантовых точек в сильном электрическом поле вблизи стокового края затвора. Ионизация квантовых точек зарождается при напряжении стока

V

_D, превышающем значение

V

_D1, при котором зависимость

I

_D(V_D) выходит на насыщение (первая ступенька вольт-амперной характеристики). При последующем увеличении

V

_D, т. е. при

V

_D>V_D1, зависимость

I

_D(V_D) за счет ионизации квантовых точек снова испытывает крутой подъем и затем при

V

_D=V_D2>V_D1 ток

I

_D вторично выходит на насыщение (вторая ступенька на характеристике). Этот эффект предлагается использовать для определения заселенности квантовых точек электронами. Представленная модель также описывает наблюдаемое в эксперименте двукратное изменение знака крутизны

g

_m=dI_D/dV_G как функции

V

_G.

PDF версия (148Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2003, Коллектив авторов Разработано... webmaster