ФТП, 2003, том 37, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Резонансное комбинационное рассеяние света в наноостровках Ge, сформированных на подложке Si(111), покрытой ультратонким слоем SiO2

В.А.Володин , М.Д.Ефремов, А.И.Никифоров, Д.А.Орехов*, О.П.Пчеляков, В.В.Ульянов

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
* Новосибирский государственный университет,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 18 ноября 2002 г. Принята к печати 31 января 2003 г.)

Наноостровки германия, сформированные на поверхности Si с ориентацией (111), покрытой ультратонким слоем окисла, были исследованы с применением методики спектроскопии комбинационного рассеяния света. Для анализа экспериментальных данных проведены численные расчеты спектров для реальных островков, содержащих несколько сотен атомов германия. Обсуждены эффекты резонансного усиления интенсивности комбинационного рассеяния света в системе <наноостровок германия>-окисел-кремний и влияния латеральных размеров наноостровков на частоты локализованных в них фононов.

 PDF версия (204Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster