ФТП, 2003, том 37, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электролюминесценция в полуметаллическом канале на одиночной разъединенной гетерогранице II типа

К.Д.Моисеев , М.П.Михайлова, Ю.П.Яковлев, И.Освальд *, Э.Гулициус *, И.Панграц *, Т.Шимечек *

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Institute of Physics, Academy of Sciences of the Czech Republic,
16253 Prague 6, Czech Republic

(Получена 13 марта 2003 г. Принята к печати 18 марта 2003 г.)

Изучена излучательная рекомбинация вблизи разъединенной гетерограницы II типа p-GaInAsSb / p-InAs в интервале температур 4-100 K. Показано, что полоса электролюминесценции hnuA=0.37 эВ может быть приписана в большей степени рекомбинации электронов из полуметаллического канала вблизи интерфейса с участием глубокого акцепторного уровня на границе раздела, тогда как полоса hnuB=0.40 эВ отвечает за излучательные переходы в объеме InAs на мелкий природный акцептор. Участие интерфейсных состояний в рекомбинации через гетерограницу II типа GaInAsSb / InAs становится значительным за счет перекрытия волновых функций дырок, локализованных вблизи границы раздела со стороны твердого раствора, с волновыми функциями состояний на глубоком акцепторе.

 PDF версия (215Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster