ФТП, 2003, том 37, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Формирование структуры собственного оксида на поверхности n-GaAs при естественном окислении на воздухе

Н.А.Торхов

Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова при Томском государственном университете,
634050 Томск, Россия

(Получена 3 февраля 2003 г. Принята к печати 6 февраля 2003 г.)

С использованием методов сканирующей туннельной микроскопии обнаружено, что пленка собственного оксида эпитаксиального n-GaAs (100) образована плотно смыкающимися между собой нанокластерами, состоящими из оксидов Ga, As и избыточного слоя As на интерфейсе Ga2O3 / n-GaAs. При этом фрактальная структура поверхности кластеров образована тремя уровнями подобных элементов зерновидной формы, пространственные размеры которых удовлетворяют соотношению 9:3:1. В трехмерном случае на одном \glqq зерне\grqq может располагаться около 6 меньших по размеру зерен. Было рассмотрено 2 возможных случая формирования фрактальной структуры кластеров. В первом случае, когда потоки количества веществ As2O3 и As по поверхности равны, формирование структуры кластеров определяется процессом диффузии As по поверхности кластера. Во втором, когда поток As превышает поток As2O3, формирование структуры кластеров определяется процессом диффузии Ga по поверхности кластера. Рост кластеров при нормальных условиях и, следовательно, увеличение толщины пленки оксида прекращаются, когда кластеры плотно смыкаются между собой. Это затрудняет диффузию реагентов через пленку оксида и протекание химических реакций.

 PDF версия (1.7Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster