Рассчитаны интервалы несмешиваемости и критические температуры спинодального распада тройных полупроводниковых систем Ga--In--Sb, Ga--In--P и In--As--Sb с учетом как деформационной энергии, так и эффекта пластической релаксации, обусловленного дислокациями несоответствия. Показано, что такой учет упругой энергии ведет к сужению области спинодального распада и понижению его критической температуры. Введение феноменологического параметра в формулу Метьюза--Блейксли позволило удовлетворительно согласовать теоретически рассчитанные значения критических толщин эпитаксиальных пленок с экспериментально известными.