ФТП, 2003, том 37, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Модифицирование свойств Hg1-xCdxTe низкоэнергетичными ионами
О б з о р

К.Д.Мынбаев , В.И.Иванов-Омский

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получен 24 июля 2002 г. Принят к печати 30 октября 2002 г.)

Приводится обзор литературы по модифицированию свойств твердых растворов HgCdTe и родственных им ртутьсодержащих материалов при обработке поверхности пучками ионов низких энергий (60-2000 эВ). Проведен анализ условий возникновения эффекта инверсии типа проводимости в p-материале, дозовой и временной зависимости глубины залегания инвертированного слоя. Рассмотрено также изменение электрофизических свойств материала n-типа проводимости при воздействии на поверхность пучком ионов. Рассмотрены предложенные к настоящему времени механизмы инверсии типа проводимости при низкоэнергетичной ионной обработке HgCdTe, как вакансионно-легированного, так и легированного акцепторными примесями. Дан обзор свойств p-n-переходов, созданных данным методом, а также проанализированы электрические и фотоэлектрические параметры фотоприемников инфракрасного излучения на основе HgCdTe, созданных низкоэнергетичной ионной обработкой. Рассмотрены примеры оригинальных приборных структур, созданных данным методом.

 PDF версия (522Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster