ФТП, 2003, том 37, выпуск 10ФТП, 2003, том 37, выпуск 10| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск |
|---|
| Обзоры | |
| Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И. Модифицирование свойств HgCdTe низкоэнергетичными ионами | 1153 |
|---|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Дейбук В.Г. Термодинамическая устойчивость эпитаксиальных пленок GaInSb, InAsSb, GaInP | 1179 |
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Абдуллаев А.А., Алиев А.Р., Камилов И.К. Кинетика амбиполярных токов диффузии и дрейфа неравновесных носителей в полупроводниках | 1184 |
| Венгер Е.Ф., Матяш И.Е., Сердега Б.К. Исследование наведенного одноосной деформацией линейного дихроизма в кристаллах кремния | 1188 |
| Ястребов С.Г., Иванов-Омский В.И., Рихтер А. Фотолюминесценция аморфного углерода, выращенного лазерной абляцией графита | 1193 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Стецун А.И. Фотоосаждение металла в гетеропереходах с твердым электролитом. Случай гетеропереходов CdSe--AsS : Ag () | 1197 |
| Торхов Н.А. Формирование структуры собственного оксида на поверхности -GaAs при естественном окислении на воздухе | 1205 |
| Моисеев К.Д., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П., Освальд И., Гулициус Э., Панграц И., Шимечек Т. Электролюминесценция в полуметаллическом канале на одиночной разъединенной гетерогранице II типа | 1214 |
| Низкоразмерные системы | |
| Володин В.А., Ефремов М.Д., Никифоров А.И., Орехов Д.А., Пчеляков О.П., Ульянов В.В. Резонансное комбинационное рассеяние света в наноостровках Ge, сформированных на подложке Si(111), покрытой ультратонким слоем SiO | 1220 |
| Ковалев В.М., Чаплик А.В. Электронное поглощение поверхностных акустических волн квантовыми кольцами в магнитном поле | 1225 |
| Абрамов И.И., Игнатенко С.А., Новик Е.Г. Характеристики многоостровковых одноэлектронных цепочек в зависимости от различных факторов | 1231 |
| Сергеев Р.А., Сурис Р.А. X-трион в системе с пространственным разделением носителей заряда | 1235 |
| Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники | |
| Ястребов С.Г., Гаррига М., Алонсо М.И., Иванов-Омский В.И. Спектральная эллипсометрия аморфного гидрогенизированного углерода, выращенного при магнетронном распылении графита | 1241 |
| Аверкиев Н.С., Казакова Л.П., Пирятинский Ю.П., Смирнова Н.Н. Переходный фототок и фотолюминесценция в пористом кремнии | 1244 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Мокеров В.Г., Пожела Ю.К., Федоров Ю.В. Электронный транспорт в униполярных гетероструктурных транзисторах с квантовыми точками в сильных электрических полях | 1248 |
| Наумова О.В., Антонова И.В., Попов В.П., Настаушев Ю.В., Гаврилова Т.А., Литвин Л.В., Aсеeв А.Л. Нанотранзисторы кремний-на-изоляторе: перспективы и проблемы реализации | 1253 |
| Калинина Е.В., Холуянов Г.Ф., Давыдов Д.В., Стрельчук А.М., Hallen A., Константинов А.О., Лучинин В.В., Никифоров А.Ю. Влияние облучения быстрыми нейтронами на электрические характеристики приборов на основе CVD эпитаксиальных слоев -SiC | 1260 |
| Малеев Н.А., Ковш А.Р., Жуков А.Е., Васильев А.П., Михрин С.С., Кузьменков А.Г., Бедарев Д.А., Задиранов Ю.М., Кулагина М.М., Шерняков Ю.М., Шуленков А.С., Быковский В.А., Соловьев Ю.М., Moller C., Леденцов Н.Н., Устинов В.М. Конструкция и технология изготовления вертикально излучающих лазеров с непроводящими эпитаксиальными зеркалами | 1265 |
| Новиков И.И., Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Гордеев Н.Ю., Ковш А.Р., Жуков А.Е., Михрин С.С., Малеев Н.А., Васильев А.П., Устинов В.М., Алферов Ж.И., Леденцов Н.Н., Бимберг Д. Температурные характеристики низкопороговых высокоэффективных лазеров на квантовых точках, излучающих в диапазоне длин волн мкм | 1270 |