Реализован метод эпитаксиального формирования инжекционных лазеров на диапазон длин волн 1.3 мкм на подложках GaAs. Метод основан на использовании метаморфной гетероструктуры с содержанием индия около 20%, осаждаемой на переходном буферном слое, предназначенном для релаксации напряжения рассогласования. В качестве активной области лазера используются квантовые ямы с более высоким (около 40%) содержанием индия. В лазерах полосковой конструкции шириной 100 мкм продемонстрирована лазерная генерация при комнатной температуре на длине волны 1.29 мкм с минимальной пороговой плотностью тока 3.3 кА/см$2$ (0.4 кА/см$2$ при 85 K).