ФТП, 2003, том 37, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фазовые и структурные изменения в многослойных контактах к n-GaAs, стимулированные быстрыми термическими обработками

Н.С.Болтовец, В.Н.Иванов, Р.В.Конакова * , П.М.Литвин *, О.С.Литвин *,
В.В.Миленин *, И.В.Прокопенко *

Государственное предприятие Научно-исследовательский институт <<Орион>>,
Киев, Украина
* Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 10 сентября 2002 г. Принята к печати 17 декабря 2002 г.)

Исследовались фазовые, структурные и электрофизические свойства многослойных контактных систем Au--Mo--TiBx--AuGe--GaAs, используемых в технологическом процессе формирования диодов Ганна на основе GaAs. До и после быстрых термических обработок в атмосфере водорода при T=400, 600 и 800oC в течение 60 с исследовались: фазовый состав и уровень остаточных механических напряжений методом рентгеновской дифракции; морфологические особенности поверхности пленок золота --- методом атомно-силовой микроскопии; вольт-амперные характеристики в области слабого электрического поля. Показано, что вплоть до температуры отжига T=600oC сохраняются буферные свойства TiBx. Установлена роль внутренних механических напряжений в деградации омических контактов Au--Mo--TiBx--AuGe--GaAs.

 PDF версия (1.3Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster