ФТП, 2003, том 37, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электрические свойства и спектры люминесценции светодиодов на основе гетеропереходов InGaN / GaN с модулированно-легированными квантовыми ямами1

С.С.Мамакин, А.Э.Юнович , А.Б.Ваттана *, Ф.И.Маняхин *

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (Физический факультет),
119992 Москва, Россия
* Московский институт стали и сплавов,
117936 Москва, Россия

(Получена 2 сентября 2002 г. Принята к печати 6 сентября 2002 г.)

Исследованы распределение заряженных центров N(w), квантовый выход излучения и спектры люминесценции голубых и зеленых светодиодов на основе p-n-гетероструктур InGaN / AlGaN / GaN. Множественные квантовые ямы InGaN / GaN были модулированно легированы донорами Si в GaN-барьерах. Концентрации доноров и акцепторов на границах перехода, определенные гетеродинным методом динамической емкости, были порядка NA>=1·1019 см-3>> ND>=1·1018 см-3. Функции N(w) имели максимумы и минимумы, с периодом 11-18 нм (±2-3 нм). Построена энергетическая диаграмма структур. Сдвиги спектральных максимумов с изменением тока (J=10-6-3·10-2 А) малы (3-12 мэВ для голубых и 20-50 мэВ для зеленых диодов), меньше, чем для диодов с нелегированными барьерами (до 150 мэВ). Это объясняется экранированием пьезоэлектрических полей в ямах электронами. Квантовый выход излучения в зависимости от тока коррелирует с распределением зарядов и особенностями вольт-амперных характеристик диодов.

 PDF версия (454Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster