ФТП, 2003, том 37, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Метаморфные модулированно-легированные гетероструктуры InAlAs / InGaAs / InAlAs с высокой подвижностью электронов на подложках GaAs

Е.С.Семенова , А.Е.Жуков, А.П.Васильев, С.С.Михрин, А.Р.Ковш,
В.М.Устинов, Ю.Г.Мусихин, С.А.Блохин, А.Г.Гладышев, Н.Н.Леденцов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 3 февраля 2003 г. Принята к печати 4 февраля 2003 г.)

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs созданы метаморфные модулированно-легированные гетероструктуры в системе материалов InGaAs / InAlAs. Проведена оптимизация условий выращивания градиентного буферного слоя при низкой температуре осаждения, позволяющая резко снизить количество структурных дефектов в рабочих слоях структуры. Подвижность электронов в двумерном канале метаморфных структур, выращенных в оптимизированных условиях, (8100 см2/В·с при 300 K) значительно превосходит значения, достижимые в напряженных гетероструктурах InGaAs / AlGaAs на подложках GaAs.

 PDF версия (1.5Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster