ФТП, 2003, том 37, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Энергия миграции вакансий в кристаллах кремния p-типа

Т.А.Пагава, З.В.Башелейшвили

Грузинский технический университет,
380075 Тбилиси, Грузия

(Получена 25 июня 2002 г. Принята к печати 19 декабря 2002 г.)

Образцы p-Si, легированные бором, облучались электронами с энергией 8 МэВ. Энергии активации отжига K-центров и комплексов (V+B), определенные по кривым изохронного отжига этих дефектов, равняются ~ 0.915 и 1.6 эВ соответственно. Вдоль локально облученных кристаллов измерялось распределение объемной фотоэдс. По проведенным оценкам энергия миграции положительно заряженных вакансий EV++M~ 0.6 эВ, а нейтральных --- EV0M~ 0.345 эВ.

 PDF версия (154Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster