ФТП, 2003, том 37, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Полупроводниковые фотоэлектропреобразователи
для ультрафиолетовой области спектра
О б з о р

Т.В.Бланк , Ю.А.Гольдберг

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получен 14 ноября 2002 г. Принят к печати 14 ноября 2002 г.)

В последние годы в связи с требованиями медицины, биологии, военной техники и проблемой \glqq озоновой дыры\grqq сформировалась ультрафиолетовая фотоэлектроника. Ее особенностью является необходимость регистрировать слабые, но сильно влияющие на жизнедеятельность человека сигналы на фоне мощного видимого и инфракрасного излучения. Основой ультрафиолетовой электроники являются: p-n-структуры на основе Si, барьеры Шоттки на основе GaP, p-n-структуры и барьеры Шоттки на основе GaN и AlGaN (солнечно-слепые приборы), SiC-структуры с потенциальными барьерами (высокотемпературные приборы), ZnO- и ZnS-фоторезисторы и диоды Шоттки.

В обзоре приведены параметры исходных широкозонных полупроводников, описаны физические основы процесса фотоэлектропреобразования, принципы создания омических контактов, представлены характеристики приборов и предполагаемые направления дальнейших исследований.

 PDF версия (1.1Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster