ФТП, 2003, том 37, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Свойства светодиодов, изготовленных на основе структур InAsSbP / InAsSb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений

Н.В.Зотова, С.С.Кижаев , С.С.Молчанов, Т.И.Воронина, Т.С.Лагунова, Б.В.Пушный, Ю.П.Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 10 февраля 2003 г. Принята к печати 17 февраля 2003 г.)

Светодиоды (длина волны lambda=3.3-4.5 мкм) изготовлены на основе гетероструктур InAsSbP / InAsSb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Применение метода газофазной эпитаксии позволило существенно увеличить содержание фосфора в барьерных слоях (до 50%) по сравнению с традиционным методом жидкофазной эпитаксии и, следовательно, улучшить ограничение носителей заряда в активной области структур. Исследованы фотолюминесцентные свойства слоев InAsSb, электролюминесцентные свойства светодиодов, зависимости мощности излучения от тока. Изготовлены светодиоды двух типов: с выводом излучения через подложку (тип A) и с выводом излучения через эпитаксиальный слой (тип B). При комнатной температуре светодиоды в импульсном режиме (скважность 20) имели мощность излучения 1.2 мВт.

 PDF версия (218Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster