ФТП, 2003, том 37, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Высокоэффективные фотодиоды на основе GaInAsSb / GaAlAsSb для спектрального диапазона 0.9-2.55 мкм с большим диаметром чувствительной площадки

И.А.Андреев, Н.Д.Ильинская, Е.В.Куницына, М.П.Михайлова, Ю.П.Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 10 февраля 2003 г. Принята к печати 17 февраля 2003 г.)

В данной работе сообщаются результаты исследований, направленных на создание высокоэффективных фотодиодов для спектрального диапазона 0.9-2.55 мкм с диаметрами фоточувствительной площадки такими большими, как 1-3 мм. Разработан широкий ряд фотодиодов на основе гетероструктур GaSb / GaInAsSb / GaAlAsSb с длинноволновой границей спектральной чувствительности lambda=2.4 и 2.55 мкм. Отличительными особенностями фотодиодов являются высокая токовая монохроматическая чувствительность в максимуме спектра, высокое быстродействие, а также низкое значение плотности обратных темновых токов. Обнаружительная способность фотодиодов, оцененная по измеренной величине уровня шумов и токовой монохроматической чувствительности, в максимуме спектра достигает величины D*(lambdamax,1000,1)=(0.8-1.0)·1011 Гц1/2 см/Вт.

 PDF версия (294Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster