| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе структур металл--широкозонный полупроводник
Т.В.Бланк, Ю.А.Гольдберг, Е.В.Калинина, О.В.Константинов, Е.А.Поссе
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
(Получена 3 февраля 2003 г. Принята к печати 11 февраля 2003 г.)
|
В последнее время большое внимание уделяется измерению и контролю ультрафиолетового излучения Солнца и искусственных источников. Мы представляем фотодетекторы на основе различных широкозонных поверхностно-барьерных структур, которые имеют линейную характеристику плотность потока излучения--фототок в диапазоне Вт / м и позволяют регистрировать разные типы ультрафиолетового излучения. Так, фотодетекторы на основе GaP при использовании фильтра УФС-6 имеют диапазон спектральной фоточувствительности, соответствующий ультрафиолетовому излучению Солнца, регистрируемому на поверхности Земли. -SiC-поверхностно-барьерные фотоприемники имеют диапазон спектральной фоточувствительности, соответствующий спектральной кривой бактерицидного воздействия ультрафиолетового излучения. Для объяснения процесса коротковолнового фотоэлектропреобразования в этих структурах разработана модель, согласно которой фотоэлектроны и фотодырки могут связываться в горячие экситоны и исключаться из процесса фотоэлектропреобразования. Экспериментально установленный факт роста квантовой эффективности с температурой для фотодетекторов на основе барьеров Шоттки объясняется захватом фотоносителей в ловушки, обусловленные флуктуациями дна зоны проводимости и потока валентной зоны, с последующей термодиссоциацией. Эти флуктуации связаны с несовершенствами в приповерхностной области полупроводника, что подтверждается независимостью квантовой эффективности фотодетекторов на основе -структур от температуры. |
| PDF версия (388Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2003, Коллектив авторов Разработано... webmaster |