ФТП, 2003, том 37, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Рамановская и инфракрасная спектроскопии
нанокристаллов GaN, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на оксидированном кремнии

В.Н.Бессолов , Ю.В.Жиляев, Е.В.Коненкова, В.А.Федирко *, D.R.T.Zahn +

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Московский государственный технологический университет \glqq Станкин\grqq,
101472 Москва, Россия
+ Institut fur Physik, TU Chemnitz,
D-09107 Chemnitz, Germany

(Получена 27 января 2003 г. Принята к печати 28 января 2003 г.)

Методами рамановской и инфракрасной спектроскопии изучались нанокристаллические GaN-пленки, которые были выращены хлорид-гидридной эпитаксией на SiO2/Si (111)-подложке при T=520oC. Установлено, что нанокристаллы GaN формируются на поверхности оксидированного кремния со скоростью 10-2 нм/с. Показано, что пики рамановских спектров E2(high)=566 см-1 и A1(LO)=730 см-1 соответствуют упругонапряженной структуре вюрцита GaN. Обнаружено, что в инфракрасных спектрах проявляется пик, связанный с E1(TO)=558 см-1, который показывает, что упругие напряжения в нанокристаллах невелики.

 PDF версия (538Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster