ФТП, 2003, том 37, выпуск 8
ФТП, 2003, том 37, выпуск 8
| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
О механизмах токопереноса в диодных структурах Cr---InP и Mo---InP
С.В.Слободчиков, Х.М.Салихов, Б.Е.Саморуков
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
(Получена 3 февраля 2003 г. Принята к печати 4 февраля 2003 г.)
| Проведены исследования электрических характеристик диодных структур Cr---InP и Mo---InP и сделана оценка механизма токопрохождения. Установлено, что в структурах Cr---InP преобладает либо термоэлектронный, либо генерационно-рекомбинационный ток в зависимости от температуры. В структурах Mo---InP --- двойная инжекция носителей заряда при дрейфовом переносе. |
| PDF версия (149Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2003, Коллектив авторов Разработано... webmaster |