ФТП, 2003, том 37, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Редкоземельные элементы в технологии соединений AIIIB V и приборов на их основе

А.Т.Гореленок , А.В.Каманин, Н.М.Шмидт

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 3 февраля 2003 г. Принята к печати 4 февраля 2003 г.)

Обобщены результаты наших исследований по использованию редкоземельных элементов в жидкофазной эпитаксиальной технологии InP, InGaAsP, InGaAs, GaP и по созданию на их основе различных опто- и микроэлектронных приборов и структур, а также результаты по поверхностному геттерированию GaAs пленками редкоземельных элементов для получения высокоомного материала различного назначения.

 PDF версия (968Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster