ФТП, 2003, том 37, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Анализ полосы излучения комплeксов VGaTeAs в n-GaAs при одноосном давлении

А.А.Гуткин , А.В.Ермакова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 3 февраля 2003 г. Принята к печати 4 февраля 2003 г.)

В приближении малости отклонений осей излучающих оптических диполей комплексов VGaTeAs в GaAs от одного из направлений типа < 111> проанализирована форма спектра широкой бесструктурной полосы фотолюминесценции этих дефектов при давлении 10 кбар вдоль оси [111]. Для выявления расщепившихся компонент этой полосы, принадлежащих центрам разной ориентации, развита методика, использующая закономерности пьезоспектроскопического поведения анизотропных центров и применение измерений спектров в случаях, когда электрический вектор световой волны параллелен и перпендикулярен оси давления. Подтверждена модель, принятая при анализе, и определено, что расщепление энергий центров разной ориентации при давлении 10 кбар примерно равно 38 мэВ, а относительная доля ротатора, описывающая в классическом дипольном приближении поляризационные свойства света, излучаемого отдельным комплексом, составляет 0.15. Это свидетельствует о сравнимости роли спин-орбитального и ян-теллеровского взаимодействий в формировании излучающего состояния комплекса.

 PDF версия (149Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster