ФТП, 2003, том 37, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Взаимодействие носителей заряда с локализованными магнитными моментами марганца в гетероструктурах p-GaInAsSb/p-InAs : Mn

Т.С.Лагунова, Т.И.Воронина, М.П.Михайлова, К.Д.Моисеев, Е.Самохин, Ю.П.Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 3 февраля 2003 г. Принята к печати 4 февраля 2003 г.)

Исследованы транспортные свойства гетероструктур p-Ga1-xInxAsySb1-y/p-InAs : Mn с нелегированными слоями твердых растворов, близких по составу к GaSb (x=<sssim 0.22) при концентрации марганца в подложке (5-7)· 1018 см-3, полученных методом жидкофазной эпитаксии. Установлено, что на гетерогранице со стороны арсенида индия существует электронный канал. Обнаружены аномальный эффект Холла и отрицательное магнитосопротивление при высоких температурах (77--200 K). Эти эффекты могут быть объяснены обменным s-d-взаимодействием ионов марганца в подложке с s-электронами в двумерном канале. Оценен эффективный магнитный момент ионов марганца mu=200 muB при T=77 K.

 PDF версия (286Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster