ФТП, 2003, том 37, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Синхротронные исследования энергетического спектра электронов в наноструктурах на основе AIIIBV

Э.П.Домашевская , В.А.Терехов, В.М.Кашкаров, С.Ю.Турищев,
С.Л.Молодцов *, Д.В.Вялых +, Д.А.Винокуров \#, В.П.Улин \#, С.Г.Конников \#,
М.В.Шишков \#, И.Н.Арсентьев \#, И.С.Тарасов \#, Ж.И.Алферов \#

Воронежский государственный университет,
394693 Воронеж, Россия
* Institut fur Oberflachen- und Mikrostrukturphysik, TU Dresden, Germay
+ Institut fur Experimentalphysik, Freie Universitat Berlin, Berlin, Germany
\# Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 11 февраля 2003 г. Принята к печати 17 февраля 2003 г.)

С использованием синхротронного излучения впервые получены спектры ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения в области P-L2,3-краев зонного спектра, отражающие локальную плотность состояний в зоне проводимости в следующих объектах: наноструктурах с квантовыми точками InP, выращенных на подложках GaAs<100> методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, и в пористых слоях InP, полученных анодным импульсным электрохимическим травлением монокристаллических пластин InP< 100>. Во всех наноструктурах обнаружены квантово-размерные эффекты в виде появления дополнительного уровня на расстоянии 3.3 эВ от дна зоны проводимости, а также изменение ширины запрещенной зоны исследуемых материалов при размерном квантовании электронного спектра. Высказаны предположения о зона-зонном происхождении спектров люминесценции в исследованных наноструктурах.

 PDF версия (0.9Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster