| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Особенности спонтанного и когерентного инфракрасного излучения лазеров, изготовленных на основе одиночного разъединенного гетероперехода II типа
К.Д.Моисеев, М.П.Михайлова, Ю.П.Яковлев
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
(Получена 11 февраля 2003 г. Принята к печати 17 февраля 2003 г.)
| Исследованы электролюминесцентные характеристики одиночной гетероструктуры II типа -GaInAsSb/ -InGaAsSb в интервале температур K. Предложена и реализована новая улучшенная лазерная структура на основе разъединенного гетероперехода II типа -GaInAsSb/-InGaAsSb в активной области и получена одномодовая генерация на длине волны мкм при плотности порогового тока ( K). Обнаружено преобладание TM-поляризации над TE-поляризацией излучения как для спонтанного, так и для когерентного режима работы новой лазерной структуры, что может быть объяснено участием в рекомбинации легких дырок, туннелирующих через гетерограницу. |
| PDF версия (506Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2003, Коллектив авторов Разработано... webmaster |