ФТП, 2003, том 37, выпуск 8

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск

Емельяненко О.В., Колчанова Н.М., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. Роль Дмитрия Николаевича Наследова в становлении и развитии физики и техники полупроводников A^IIIB^V ( к 100-летию со дня рождения)	897

Электронные и оптические свойства полупроводников
Лагунова Т.С., Воронина Т.И., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Самохин Е., Яковлев Ю.П. Взаимодействие носителей заряда с локализованными магнитными моментами марганца в гетероструктурах $p$ -GaInAsSb/ $p$ -InAs : Mn	901
Гуткин А.А., Ермакова А.В. Анализ полосы излучения комплeксов $V$ _GaTe_As в $n$ -GaAs при одноосном давлении	908
Штельмах К.Ф., Коробков М.П., Озеров И.Г. ЭПР взаимодействующих центров марганца в арсениде галлия	913
Серегин П.П., Степанова Т.Р., Кожанова Ю.В., Волков В.П. Мессбауэровское исследование примесных атомов железа в арсениде галлия	917
Гореленок А.Т., Каманин А.В., Шмидт Н.М. Редкоземельные элементы в технологии соединений A^IIIB^V и приборов на их основе	922
Приходько А.В. Электромагнитный эффект в высокотемпературной сверхпроводимости	941
Мастеров В.Ф., Штельмах К.Ф., Маслов В.П., Михрин С.Б., Саморуков Б.Е. Релаксация нейтрального состояния марганца в арсениде галлия	943

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фоточувствительные структуры на монокристаллах фосфида бора	947
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н. Отрицательная люминесценция на длине волны 3.9 мкм в диодах на основе InGaAsSb	951
Львова Т.В., Берковиц В.Л., Дунаевский М.С., Лантратов В.М., Макаренко И.В., Улин В.П. Химическая нитридизация поверхности (100)GaAs: влияние на электрофизические характеристки Au--Ti/GaAs поверхностно-барьерных структур	955
Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Саморуков Б.Е. О механизмах токопереноса в диодных структурах Cr-- $n$ -InP и Mo-- $n$ -InP	960

Низкоразмерные системы
Бессолов В.Н., Жиляев Ю.В., Коненкова Е.В., Федирко В.А., Zahn D.R.T. Рамановская и инфракрасная спектроскопии нанокристаллов GaN, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на оксидированном кремнии	964

Физика полупроводниковых приборов
Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Калинина Е.В., Константинов О.В., Поссе Е.А. Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе структур металл--широкозонный полупроводник	968
Андреев И.А., Ильинская Н.Д., Куницына Е.В., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. Высокоэффективные фотодиоды на основе GaInAsSb / GaAlAsSb для спектрального диапазона $0.9-2.55$ мкм с большим диаметром чувствительной площадки	974
Зотова Н.В., Кижаев С.С., Молчанов С.С., Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Пушный Б.В., Яковлев Ю.П. Свойства светодиодов, изготовленных на основе структур InAsSbP / InAsSb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений	980
Астахова А.П., Данилова Т.Н., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Яковлев Ю.П. Одномодовые быстроперестраиваемые лазеры для диодно-лазерной спектроскопии	985
Стоянов Н.Д., Журтанов Б.Е., Астахова А.П., Именков А.Н., Яковлев Ю.П. Высокоэффективные светодиоды спектрального диапазона $1.6-2.4$ мкм для медицинской диагностики и экологического мониторинга	996
Моисеев К.Д., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. Особенности спонтанного и когерентного инфракрасного излучения лазеров, изготовленных на основе одиночного разъединенного гетероперехода II типа	1010

\leaders \hrule \kern Низкоразмерные системы
Домашевская Э.П., Терехов В.А., Кашкаров В.М., Турищев С.Ю., Молодцов С.Л., Вялых Д.В., Винокуров Д.А., Улин В.П., Конников С.Г., Шишков М.В., Арсентьев И.Н., Тарасов И.С., Алферов Ж.И. Синхротронные исследования энергетического спектра электронов в наноструктурах на основе A^IIIB^V	1017