ФТП, 2003, том 37, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Теоретические и экспериментальные исследования влияния скорости роста InAs на свойства ансамблей квантовых точек в системе InAs/GaAs

В.Г.Дубровский *, В.А.Егоров, Г.Э.Цырлин, Н.К.Поляков, Ю.Б.Самсоненко,
Н.В.Крыжановская *, А.Ф.Цацульников *, В.М.Устинов *

Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
190083 Санкт-Петербург, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 16 декабря 2002 г. Принята к печати 19 декабря 2002 г.)

Проведены теоретические и экспериментальные исследования зависимости свойств ансамблей квантовых точек в системе InAs/GaAs от скорости роста InAs. Развита кинетическая модель формирования когерентных наноостровков, позволяющая рассчитать зависимости среднего размера, поверхностной плотности островков и толщины смачивающего слоя от времени и условий роста. Исследованы оптические свойства квантовых точек InAs/GaAs при 2 монослоях нанесенного материала, выращенных при различных скоростях роста. Проведено сравнение предсказаний теоретической модели с экспериментальными результатами. Показано, что характерный латеральный размер квантовых точек уменьшается при увеличении скорости роста. Толщина остаточного смачивающего слоя при 2 монослоях нанесенного материала возрастает с увеличением скорости роста.

 PDF версия (242Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster