ФТП, 2003, том 37, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Легирование магнием в молекулярно-пучковой эпитаксии нитрида галлия из активированного азота

А.А.Воробьев , В.В.Кораблев, С.Ю.Карпов*

Санкт-Петербургский государственный технический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
* Софт-Импакт, а / я 33,
194156 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 10 декабря 2002 г. Принята к печати 10 декабря 2002 г.)

Предложена кинетическая модель легирования магнием нитрида галлия, выращиваемого с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии из плазмо-активированного азота, и определены параметры модели. Предполагая конкурентное квазиравновесное вхождение Mg и Ga в подрешетку III группы, теория объясняет основные экспериментально наблюдаемые закономерности легирования --- зависимость эффективности вхождения Mg от температуры и V / III-отношения в падающих потоках.

 PDF версия (279Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster