ФТП, 2003, том 37, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние перехода порядок--беспорядок в электронной подсистеме кристалла на электронную плотность в узлах решетки

Н.П.Серегин, Т.Р.Степанова *, Ю.В.Кожанова *, В.П.Волков *, П.П.Серегин *, Н.Н.Троицкая *

Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
198103 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 23 декабря 2002 г. Принята к печати 27 декабря 2002 г.)

Для металлоксидов меди YBa2Cu3O6.9, YBa2Cu3O6.6, YBa2Cu4O8, Nd1,85Ce0.15CuO4, La1.85Sr0.15CuO4, HgBa2CuO4, HgBa2CaCu2O6, Bi2Sr2CaCu2O8 и Tl2Ba2CaCu2O8 при температурах, выше температуры перехода в сверхпроводящее состояние Tc, температурная зависимость центра тяжести S мессбауэровского спектра примесных атомов 67Zn2+ в узлах меди и иттрия определяется доплеровским сдвигом 2-го порядка. В области Tc на величину S оказывает влияние зонный механизм, связанный с процессом образования куперовских пар и их бозе-конденсацией. Обнаружена зависимость между изменением электронной плотности в металлическом узле кристалла и температурой перехода его в сверхпроводящее состояние. Для соединений, содержащих две структурно-неэквивалентные позиции для атомов меди, показано, что изменение электронной плотности, создаваемой бозе-конденсатом куперовских пар, различно для этих узлов. Экспериментальная зависимость доли сверхпроводящих электронов от температуры для всех исследованных узлов согласуется с аналогичной зависимостью, следуемой из теории Бардина-Купера-Шриффера.

 PDF версия (182Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster