| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Влияние перехода порядок--беспорядок в электронной подсистеме кристалла на электронную плотность в узлах решетки
Н.П.Серегин, Т.Р.Степанова, Ю.В.Кожанова, В.П.Волков, П.П.Серегин, Н.Н.Троицкая
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
198103 Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
(Получена 23 декабря 2002 г. Принята к печати 27 декабря 2002 г.)
|
Для металлоксидов меди YBaCuO, YBaCuO, YBaCuO, NdCeCuO, LaSrCuO, HgBaCuO, HgBaCaCuO, BiSrCaCuO и TlBaCaCuO при температурах, выше температуры перехода в сверхпроводящее состояние , температурная зависимость центра тяжести мессбауэровского спектра примесных атомов в узлах меди и иттрия определяется доплеровским сдвигом 2-го порядка. В области на величину оказывает влияние зонный механизм, связанный с процессом образования куперовских пар и их бозе-конденсацией. Обнаружена зависимость между изменением электронной плотности в металлическом узле кристалла и температурой перехода его в сверхпроводящее состояние. Для соединений, содержащих две структурно-неэквивалентные позиции для атомов меди, показано, что изменение электронной плотности, создаваемой бозе-конденсатом куперовских пар, различно для этих узлов. Экспериментальная зависимость доли сверхпроводящих электронов от температуры для всех исследованных узлов согласуется с аналогичной зависимостью, следуемой из теории БардинаКупераШриффера.
|
| PDF версия (182Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2003, Коллектив авторов Разработано... webmaster |