ФТП, 2003, том 37, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотоиндуцированное изменение проводимости пленок аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием

А.Г.Казанский , Х.Мелл *, E.И.Теруков +, П.А.Форш

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119899 Москва, Россия
* Philipps-Universitat Marburg, Fachbereich Physik,
D-35032 Marburg, Germany
+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 23 декабря 2002 г. Принята к печати 27 декабря 2002 г.)

Исследовано изменение темновой проводимости пленок аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием, a-Si : H(Er), в результате их предварительного освещения при комнатной температуре. Изучено влияние компенсирующей примеси бора на фотоиндуцированное изменение проводимости пленок a-Si : H(Er). Установлено, что величина и знак изменения проводимости зависят от длительности освещения и положения уровня Ферми в щели подвижности. Рассмотрены возможные механизмы, приводящие к фотоиндуцированному изменению проводимости пленок a-Si : H(Er).

 PDF версия (141Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster