ФТП, 2003, том 37, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние имплантации ионов P на фотолюминесценцию нанокристаллов Si в слоях SiO2

Г.А.Качурин, С.Г.Яновская, Д.И.Тетельбаум *, А.Н.Михайлов *

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
* Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 11 ноября 2002 г. Принята к печати 20 ноября 2002 г.)

Изучено влияние имплантации 1013-1016 см-2 ионов P и последующего отжига при 600-1100oC на фотолюминесценцию нанокристаллов Si, заранее сформированных в слоях SiO2. Сразу после имплантации дозы 1013 см-2 наблюдается гашение полосы 780 нм, излучаемой нанокристаллами. Восстановление эмиссии частично нарушенных нанокристаллов заметно уже с 600oC, но после превышения дозы аморфизации необходимы отжиги 1000-1100oC. После отжигов обнаружены усиление люминесценции при имплантации малых доз P и ее ускоренное восстановление, когда концентрация P превышает ~0.1 ат%. Первый эффект объясняется ударной кристаллизацией нановыделений, второй --- ускорением кристаллизации примесью. Последнее наряду с дозовой зависимостью послеотжиговой люминесценции рассматривается как свидетельство попадания атомов P в нанокристаллы Si. Вопреки ряду оценок введение P не приводит к гашению люминесценции из-за оже-рекомбинации. Расхождения объясняются взаимодействием носителей с ядрами доноров.

 PDF версия (234Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster