ФТП, 2003, том 37, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фоточувствительные структуры на монокристаллах CdGa2Se4

А.А.Вайполин, Ю.А.Николаев, И.К.Полушина, В.Ю.Рудь *, Ю.В.Рудь, Е.И.Теруков, N.Fernelius $

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
$ Air Force Wright Lab.,
Wright Patterson AFB, OH, USA

(Получена 26 сентября 2002 г. Принята к печати 4 октября 2002 г.)

Созданы первые фоточувствительные структуры на основе монокристаллов CdGa2Se4: поверхностно-барьерные структуры In / CdGa2Se4 и гетероструктуры InSe / CdGa2Se4. Исследованы вольт-амперные характеристики и спектры квантовой эффективности полученных структур. Обнаружена поляризационная фоточувствительность структур In / CdGa2Se4. Обсуждаются процессы фоточувствительности структур с учетом фотоактивного поглощения в кристаллах CdGa2Se4 в примесной и собственной областях спектра. Сделан вывод о возможностях практического применения монокристаллов CdGa2Se4 в фотопреобразователях естественного и линейно поляризованного излучения.

 PDF версия (212Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster