ФТП, 2003, том 37, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Релаксация дефектной подсистемы кремния, модифицированной облучением тяжелыми ионами высоких энергий

С.А.Смагулова, И.В.Антонова *, Е.П.Неустроев, В.А.Скуратов $

Якутский государственный университет,
677891 Якутск, Россия
* Новосибирский институт физики полупроводников,
630090 Новосибирск, Россия
$ Объединенный институт ядерных исследований,
141980 Дубна, Россия

(Получена 14 октября 2002 г. Принята к печати 28 октября 2002 г.)

Проведено исследование релаксации дефектной подсистемы кремния, нарушенной имплантацией тяжелыми ионами высоких энергий, на примере изменения электрофизических свойств кристалла, отожженного при температуре 450oC. Показано, что при облучении относительно низкими дозами тяжелых ионов Bi и относительно коротком отжиге (время отжига не превышает 5 ч) происходит введение термоакцепторов, распределение которых имеет два максимума на глубинах ~ 10 мкм и в окрестности проективного пробега ионов, равного 43.5 мкм. Максимумы в распределении термоакцепторов соответствуют областям, обогащенным вакансионными дефектами. При увеличении времени отжига происходит трансформация акцепторных центров в донорные с сохранением пространственного распределения. Одновременно происходит практически однородное введение термодоноров во всем кристалле за областью проективного пробега ионов.

 PDF версия (225Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster