В данной работе проведен сравнительный анализ различных методов получения искусственных подложек --- гетероструктур, принцип релаксации напряжений в которых базируется на введении дислокаций несоответствия. На основе литературных и оригинальных данных анализируются механизмы реализации малой плотности прорастающих дислокаций в пластически релаксированных пленках на примере гетероструктур GeSi / низкотемпературный буферный слой Si. Анализируются проблемы и результаты другой группы методов получения искусственных подложек, завоевавших в последнее время популярность так называемых \glqq податливых\grqq и \glqq мягких\grqq подложек. Рассмотрены основные электрофизические параметры пленок Si и GeSi, выращенных на искусственных подложках.