ФТП, 2003, том 37, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

3C-SiC p-n-структуры, полученные методом сублимации на основе подложек 6H-SiC

А.А.Лебедев, А.М.Стрельчук, Д.В.Давыдов, Н.С.Савкина, А.С.Трегубова,
А.Н.Кузнецов, В.А.Соловьев, Н.К.Полетаев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 3 сентября 2002 г. Принята к печати 6 сентября 2002 г.)

Методом сублимационной эпитаксии в вакууме на основе 6H-SiC выращены слои 3C-SiC n- и p-типа проводимости. На основе полученной эпитаксиальной p-n-структуры были сформированы диоды и проведены исследования их параметров методами вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик, методом DLTS и электролюминесценции. Показано, что характеристики исследованных диодов близки к характеристикам диодов на основе объемного 3C-SiC. Сделан вывод о применимости метода сублимационной эпитаксии для получения 3C-SiC p-n-структур на основе подложек других политипов карбида кремния.

 PDF версия (186Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster